非晶硅和cmos在成像上的区别（thinfilm是什么工艺）

非晶硅和cmos在成像上的区别？

非晶硅和CMOS在成像上具有以下不同：

1.结构:非晶硅将硅材料呈非晶态薄膜形式，而CMOS则是由NMOS和PMOS构成的晶体管阵列。

2.像素大小:非晶硅相比CMOS有更大的像素大小。

3.功耗:非晶硅相对于CMOS具有更低的功耗。

4.成像质量:CMOS成像质量更高，像素更细腻，且具有更高的分辨率，适用于摄影、摄像机等高质量图像应用，而非晶硅则更适用于低功耗电池应用和低成本电子应用。

综上，虽然非晶硅和CMOS都具有成像能力，但它们在像素大小、功耗和成像质量等方面有所不同。

thinfilm是什么工艺？

thinfilm工艺是一种特殊的PN结，由非晶硅和晶体硅材料形成，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，属于N型电池中的一种。

HIT（HeterojunctionwithIntrinsicThinfilm）电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，因HIT已被三洋注册为商标，因此又被称为HJT、HDT、或SHJ。

中天光伏技术高管有几位？

中天光伏技术高管有3位

中天光伏技术有限公司于2011年12月20日成立。

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光伏发电、技术服务；光伏用晶体硅太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、分布式电源控制器和储能电池的研发、生产、销售；光伏发电工程设计、施工安装、运营维护；风力发电工程、输变电工程、配电工程设计等等。

公司涉及的产品都是新能源产业，发展前景良好。

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